[发明专利]获得用于具有非常短余辉的CT的Gd2O2S∶Pr的方法有效
| 申请号： | 200680013000.9 | 申请日： | 2006-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN101163774A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | C·R·朗达;G·泽特勒;D·沃多;H·韦科雷克;H·施赖尼马彻 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/77 | 分类号： | C09K11/77;G21K4/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 龚海军;谭祐祥 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及具有非常短余辉的Gd2O2S∶M荧光陶瓷材料，其中M代表从包含Pr、Tb、Yb、Dy、Sm和/或Ho的组合中选择的至少一个元素，Gd2O2S∶M荧光陶瓷材料进一步包括：铕≤1wt.ppm，基于Gd2O2S以及铈≥0.1wt.ppm并≤100wt.ppm，基于Gd2O2S，其中铈的含量超过铕的含量，且铕对铈的比例为1∶10到1∶150。 | ||
| 搜索关键词： | 获得 用于 具有 非常 余辉 ct gd sub pr 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有非常短余辉的Gd2O2S:M荧光陶瓷材料，其特征在于，M代表从包含Pr、Tb、Yb、Dy、Sm和/或Ho的组合中选择的至少一个元素，所述Gd2O2S:M荧光陶瓷材料包括附加的：铕≤1wt.ppm，基于Gd2O2S以及铈≥0.1wt.ppm并≤100wt.ppm，基于Gd2O2S，其中铈的含量超过铕的含量，且铕对铈的比例为1∶10到1∶150。
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