[发明专利]存储装置及半导体集成电路

摘要

第一电极层，包括互相平行地延伸的多条第一电极线(W1、W2)。状态变化层，形成在第一电极层上，并且包括具有二极管特性和可变电阻特性的多个状态变化物(60－11、60－12、60－21、60－22)。第二电极层，形成在状态变化层上，并且包括互相平行地延伸的多条第二电极线(B1、B2)。多条第一电极线和多条第二电极线，从叠层方向看时夹着状态变化层互相交叉。状态变化物(60－11)，形成在第一电极线(W1)和第二电极线(B1)交叉的位置的、该第一电极线与该第二电极线之间。

主权项

1.一种存储装置，其特征在于：包括：第一电极层，包括互相平行地延伸的多条第一电极线，状态变化层，形成在所述第一电极层上，并且包括由具有二极管特性和可变电阻特性的状态变化材料构成的多个状态变化部，以及第二电极层，形成在所述状态变化层上，并且包括互相平行地延伸的多条第二电极线；所述多条第一电极线和所述多条第二电极线，从叠层方向看时夹着所述状态变化层互相交叉；所述多个状态变化部中的每个状态变化部，从所述叠层方向看时形成在所述多条第一电极线中的任一条和所述多条第二电极线中的任一条交叉的位置的、该第一电极线与该第二电极线之间，并且具有以从该第一电极线及该第二电极线中的任一条向另一条延伸的方向作为正方向、以从该另一条向该一条延伸的方向作为反方向的二极管特性，且具有该状态变化部在正方向上的电阻值根据被施加在该第一电极线与该第二电极线之间的规定脉冲电压而增加或减少的可变电阻特性。