[发明专利]一种太阳能电池的制造方法以及太阳能电池无效
申请号: | 200680013914.5 | 申请日: | 2006-04-07 |
公开(公告)号: | CN101164173A | 公开(公告)日: | 2008-04-16 |
发明(设计)人: | 大塚宽之;石川直挥;高桥正俊 | 申请(专利权)人: | 信越半导体股份有限公司;信越化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L21/223;H01L21/225 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈晨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种太阳能电池的制造方法及太阳能电池,该制造方法是于第一导电型半导体基板上形成pn结而制造出太阳能电池的方法,其特征为至少包含下列步骤:在第一导电型半导体基板上,涂布含有掺杂剂的第一涂布剂,然后同时形成一第一扩散层以及一第二扩散层;该第一扩散层是利用气相扩散热处理而形成于该第一涂布剂的涂布区域;该第二扩散层是利用气相扩散以连接第一扩散层的方式而形成,其导电率低于该第一扩散层。由此可一边得到欧姆接触一边通过抑制受光面的电极以外部分的表面再结合以及射极内的再结合,而能够提供一种太阳能电池的制造方法及太阳能电池,可以简便容易的方法便宜地制造出提高光电转换效率的太阳能电池。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 制造 方法 以及 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池的制造方法,是于第一导电型半导体基板上形成pn结而制造出太阳能电池的方法,其特征为至少包含下列步骤:在该第一导电型半导体基板上,涂布含有掺杂剂的第一涂布剂,然后同时形成一第一扩散层以及一第二扩散层;该第一扩散层是利用气相扩散热处理而形成于该第一涂布剂的涂布区域;该第二扩散层是利用气相扩散以连接第一扩散层的方式而形成,其导电率低于该第一扩散层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的