[发明专利]三维纳米级交叉杆有效

专利信息
申请号: 200680013948.4 申请日: 2006-04-25
公开(公告)号: CN101167137A 公开(公告)日: 2008-04-23
发明(设计)人: R·S·威廉斯;P·J·屈克斯 申请(专利权)人: 惠普开发有限公司
主分类号: G11C13/02 分类号: G11C13/02
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张雪梅;陈景峻
地址: 美国德*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明的多个实施例包括三维的、至少部分为纳米级的电子电路和装置,其中可以在三个独立的方向上路由(1016)信号,并且其中可以在通过内部信号线(502-509和702-709)互连的结(510,802)处制备电子部件。所述三维的、至少部分为纳米级的电子电路和装置包括层,纳米线或微米级或亚微米级/纳米线结,其每一个可被经济和有效地制备为一种类型的电子部件。本发明的多个实施例包括纳米级存储器,纳米级可编程阵列,纳米级多路复用器和多路分离器,以及几乎不限数量的专用纳米级电路和纳米级电子部件。
搜索关键词: 三维 纳米 交叉
【主权项】:
1.一种三维纳米级电子装置,包括:第一功能层,包括纳米线(502-509)和第一类型的纳米线结(510);以及一个或多个附加功能层,包括纳米线(702-709)和一个或多个附加类型的纳米线结(802),第一功能层和一个或多个附加功能层通过纳米线、纳米线结、微米级信号线、以及亚微米级信号线的一个或多个互连。
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