[发明专利]三维纳米级交叉杆有效
申请号: | 200680013948.4 | 申请日: | 2006-04-25 |
公开(公告)号: | CN101167137A | 公开(公告)日: | 2008-04-23 |
发明(设计)人: | R·S·威廉斯;P·J·屈克斯 | 申请(专利权)人: | 惠普开发有限公司 |
主分类号: | G11C13/02 | 分类号: | G11C13/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;陈景峻 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明的多个实施例包括三维的、至少部分为纳米级的电子电路和装置,其中可以在三个独立的方向上路由(1016)信号,并且其中可以在通过内部信号线(502-509和702-709)互连的结(510,802)处制备电子部件。所述三维的、至少部分为纳米级的电子电路和装置包括层,纳米线或微米级或亚微米级/纳米线结,其每一个可被经济和有效地制备为一种类型的电子部件。本发明的多个实施例包括纳米级存储器,纳米级可编程阵列,纳米级多路复用器和多路分离器,以及几乎不限数量的专用纳米级电路和纳米级电子部件。 | ||
搜索关键词: | 三维 纳米 交叉 | ||
【主权项】:
1.一种三维纳米级电子装置,包括:第一功能层,包括纳米线(502-509)和第一类型的纳米线结(510);以及一个或多个附加功能层,包括纳米线(702-709)和一个或多个附加类型的纳米线结(802),第一功能层和一个或多个附加功能层通过纳米线、纳米线结、微米级信号线、以及亚微米级信号线的一个或多个互连。
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