[发明专利]聚合物介电特性的特征化技术无效
| 申请号： | 200680014935.9 | 申请日： | 2006-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101171509A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 古鲁·萨布拉曼亚姆 | 申请（专利权）人： | 代顿大学 |
| 主分类号： | G01N27/22 | 分类号： | G01N27/22;G01N22/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种用于在施加的DC电场下、在宽频率和温度范围的聚合物特征化的测试结构。高电阻率硅衬底(40)由粘合层(30)覆盖。聚合物薄膜(20)淀积于图案化金属层1之上，该金属层1淀积于粘合层之上。在聚合物薄膜上淀积顶部金属层2并图案化以形成CPW传输线。对金属2上的CPW传输线的中央导体施加单偏置电压并影响聚合物的介电特性。聚合物的介电常数和损耗因数通过测量扫频散射参数和将实验频率响应与模型化频率响应匹配而作为电场和温度的函数导出。在宽的温度范围上利用该测试结构可以准确地特征化聚合物的传导特性。 | ||
| 搜索关键词： | 聚合物 特性 特征 技术 | ||
【主权项】：
1.一种用于确定聚合物薄膜的介电特性的容性测试结构，该结构包括：衬底；淀积在上述衬底上的图案化底部金属层，其中所述聚合物薄膜淀积在所述图案化底部金属层上；淀积在所述聚合物薄膜上的顶部金属电极，其中所述顶部金属电极被图案化以形成共面波导传输线。
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