[发明专利]半导体装置、电源装置及信息处理装置

摘要

一种半导体装置(100)包括MOS晶体管(10)，所述MOS晶体管含有背栅极区“a”、用作源极区和漏极区中之一的第一区“b”、和用作源极区和漏极区中另一个的第二区“c”。该半导体装置还包括输入端子(20)，其连接到第一区“b”，并从半导体装置(100)向其施加输入电压；输出端子(30)，其连接到第二区“c”，并将输出电压输出到半导体装置之外；以及背栅极控制电路(40)，其将输入电压或输出电压施加到背栅极区“a”。利用这种含有输出MOS晶体管的半导体装置的配置，即使在输入和输出端子之间施加反向偏置，端子之间仍彼此绝缘，并且可以抑制衬底偏置效应导致的漏极电流的降低。

主权项

1.一种半导体装置，包括MOS晶体管，所述MOS晶体管具有背栅极区、用作源极区和漏极区中之一的第一区、以及用作源极区和漏极区中另一个的第二区，所述半导体装置包括：输入电压端子，其连接到第一区，并从半导体装置外部接收输入电压；输出电压端子，其连接到第二区，并将输出电压输出到半导体装置外部；和背栅极控制电路，其在输入电压和输出电压之间选择，并将输入电压和输出电压之一馈送到背栅极区。