[发明专利]氮化物系半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200680015180.4 | 申请日： | 2006-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN101189733A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 成川幸男;三谷友次;市川将嗣;北野彰;三崎贵生 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物系半导体元件，其使用Si作为基板，可使正向电压(Vf)低于先前。该氮化物系半导体元件1001是在Si基板1002上具有氮化物半导体层1003，并且Si基板1002的至少一部分及氮化物半导体层1003包含于主动区域，Si基板1002的主动区域的导电型为p型。而且，该氮化物系半导体元件1001是在Si基板1002上具有氮化物半导体层1003，并且Si基板1002的至少一部分及氮化物半导体层1003包含于主动区域，Si基板1002的主动区域的多数载体为空穴。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物系半导体元件，其在Si基板上具有氮化物半导体层，此氮化物系半导体元件的特征在于，所述Si基板的至少一部分及所述氮化物半导体层包含于主动区域，所述Si基板的主动区域的导电型为p型。
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