[发明专利]导电性阻障层、尤其是钌钽合金及其溅镀沉积方法无效

专利信息
申请号: 200680015230.9 申请日: 2006-04-25
公开(公告)号: CN101171363A 公开(公告)日: 2008-04-30
发明(设计)人: J·Y·王;W·D·王;R·王;Y·田中;H·程;H·张;J·于;P·戈帕拉加;J·付 申请(专利权)人: 应用材料股份有限公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;H01L27/095;H01L21/44
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 陆嘉
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明揭示一制造方法、一产品结构与一溅镀标靶,用以沉积一导电阻障物或其他衬里结构于一介连接结构中。阻障层(82)至少包含一耐火贵族金属合金(例如钌/钽合金)的导电金属,其可以为非结晶形的,虽然不需要如此。阻障层可以由一类似组成的标靶(90)所溅镀。阻障物与标靶组成可以选自一耐火金属与铂族群金属的一组合及钌钽。一铜贵族晶种层(112)可以由一铜与钌的合金所形成,其是接触于一位在介电质(66)上方的阻障层(70)。
搜索关键词: 导电性 阻障 尤其是 合金 及其 沉积 方法
【主权项】:
1.一种形成用于一铜金属化的一衬里结构的方法,其至少包含:提供一基材,该基材具有形成在一介电层中的一孔洞;形成一耐火贵族合金层于包括孔洞侧壁的该介电层的上方,该耐火贵族合金层包含一至少5%原子的耐火金属与一至少5%原子的铂族群金属的一合金,其中该耐火金属是选自周期表的IVB、VB与VIB族,且该铂族群金属是选自周期表的铁除外的VIIIB族。
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