[发明专利]金属氧化物半导体薄膜、结构和方法无效
| 申请号： | 200680015722.8 | 申请日： | 2006-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN101553930A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 阳瑞·刘;泰-塞克·李;亨利·W.·怀特 | 申请（专利权）人： | 莫克斯特罗尼克斯有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/18;H01L29/10;H01L29/12 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 葛 强;张一军 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供用于改良半导体装置的性能的材料和结构，包括ZnBeO合金材料、ZnCdOSe合金材料、可含有Mg以用于晶格匹配目的的ZnBeO合金材料和BeO材料。ZnBeO合金系统中的Be的原子分数x(即，Zn1-xBexO)可变化以将ZnO的能带隙增加至大于ZnO的能带隙的值。ZnCdOSe合金系统中的Cd的原子分数y和Se的原子分数z(即，Zn1-yCdyOi-zSez)可变化以将ZnO的能带隙减小至小于ZnO的能带隙的值。通过使用挑选的掺杂元素，所形成的每一合金可为不掺杂、或p型或n型掺杂。这些合金可单独使用或组合使用以形成可发射一个范围波长值的活性光子层、异质结构如单个和多个量子井以及超晶格层或覆层，和制造光学的和电子的半导体装置。这些结构可应用于改良半导体装置的功能、能力和性能。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 薄膜 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体材料或结构，包括：ZnBeO或ZnCdOSe半导体合金材料，具有在约1.75eV与约10.6eV之间的能带隙值。
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