[发明专利]亚微米印花转移光刻术无效
| 申请号： | 200680015806.1 | 申请日： | 2006-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN101198904A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 阿恩·希约;拉尔夫·努左;安尼·希姆 | 申请（专利权）人： | 陶氏康宁公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;B41M3/00;B41M1/34 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于亚微米印花转移光刻术的方法。该方法包括：在第一含硅弹性体(200)的表面上形成第一图案；把所述第一图案的至少一部分粘结到基板(210)；以及蚀刻(220)所述第一含硅弹性体和所述基板中的至少一个的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 微米 印花 转移 光刻 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在第一含硅弹性体的表面上形成第一图案；把所述第一图案的至少一部分粘合到基板上；以及蚀刻所述第一含硅弹性体和所述基板中的至少一个的一部分。
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