[发明专利]Ⅲ族氮化物结晶的制造方法、Ⅲ族氮化物结晶的制造装置及Ⅲ族氮化物结晶有效
| 申请号： | 200680016083.7 | 申请日： | 2006-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN101175875A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 皿山正二;岩田浩和;布施晃广 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B9/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种III族氮化物结晶的制造方法、III族氮化物结晶的制造装置及III族氮化物结晶，III族氮化物结晶的制造方法是将保持含有III族金属和助熔剂的溶液的溶液保持容器收容于反应容器内，并经配管自外部向所述反应容器内供给含氮的物质，同时制造III族氮化物结晶的方法，其中，该方法中设有如下工序，在所述溶液保持容器内使III族氮化物结晶成长之前，在所述配管内形成液体滞留部，并利用该滞留部将所述配管暂时堵塞。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 结晶 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种III族氮化物结晶的制造方法，将保持有含III族金属和助熔剂的溶液的溶液保持容器收纳于反应容器内，经配管将含氮的物质从外部供给向所述反应容器内，同时制造III族氮化物结晶，其特征在于，含有在使III族氮化物结晶在所述溶液保持容器内成长之前，在所述配管内形成液体滞留部，利用该滞留部暂时堵塞所述配管的工序。
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