[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200680016084.1 | 申请日： | 2006-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101176210A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 吉持贤一 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，包括：半导体基板；多个源极区域，其在该半导体基板上形成为条纹状；多个栅电极，其在所述半导体基板上的所述条纹状的多个源极区域间形成为条纹状；绝缘膜，其覆盖所述源极区域以及栅电极，并在与所述源极区域的长度方向相关的一部分规定区域上具有使源极区域局部露出的接触孔；和源电极，其形成在该绝缘膜上，经由所述接触孔与所述源极区域电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：半导体基板；多个源极区域，其在该半导体基板上形成为条纹状；多个栅电极，其在所述半导体基板上的所述条纹状的多个源极区域间形成为条纹状；绝缘膜，其覆盖所述源极区域以及栅电极，并在与所述源极区域的长度方向相关的一部分规定区域上具有使源极区域局部露出的接触孔；和源电极，其形成在该绝缘膜上，经由所述接触孔与所述源极区域电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗姆股份有限公司，未经罗姆股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680016084.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：燃料电池
- 下一篇：带有远程进给适配器的滑脂枪
- 同类专利
- 专利分类
