[发明专利]非易失性存储器中的编程抑制方案的选择性应用有效
| 申请号： | 200680016299.3 | 申请日： | 2006-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN101194323A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 万钧;杰弗里·卢策;东谷正昭;格里特·简·赫民克;大和田健;陈健;杰弗里·S·冈韦尔 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 对非易失性存储器系统进行编程以便降低或避免编程干扰。根据一个实施例，针对单个非易失性存储器系统采用多种编程抑制方案。基于正被编程的字线来选择编程抑制方案。已经发现某些编程抑制方案能较好地最小化或消除选择字线处的编程干扰。在一个实施例中，选择编程抑制方案包括选择编程电压脉冲斜坡率。已经发现不同的斜坡率能在应用于选择字线时较好地最小化编程干扰。在另一实施例中，在编程操作之前或期间检测存储器系统的温度。可基于所述系统的温度来选择编程抑制方案。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 中的 编程 抑制 方案 选择性 应用 | ||
【主权项】：
1.一种对非易失性存储装置进行编程的方法，其包含：确定多个字线中的哪一者将接收用于编程的编程电压信号，将所述字线耦合到第一非易失性存储元件群组的第一非易失性存储元件和第二非易失性存储元件群组的第二非易失性存储元件，将抑制编程所述第一非易失性存储元件，且将编程所述第二非易失性存储元件；基于所述将接收所述编程电压信号的字线来选择编程抑制方案；使用所述选定的编程抑制方案将所述第一非易失性存储元件群组的沟道升压到某一电压电位；以及启用对所述第二非易失性存储元件群组的编程。
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