[发明专利]作为有机半导体的氮杂二萘嵌苯

摘要

包含式I的氮杂二萘嵌苯有机半导体的新半导体设备，其中每个R1、R2、R3和R4独立选自H、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基、无取代的或取代的芳基、卤素、Si(R11)₃、XR6；或一个或多个R1和R2、R2和R3、R3和R4，与它们键合的碳原子一起形成饱和的或不饱和的、无取代的或取代的碳环或杂环；R5为OR7、SR7、NR7R8、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基或无取代的或取代的芳基；R6为Si(R11)₃、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基、无取代的或取代的芳基；R7为H、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基、无取代的或取代的芳基；X为O、S、NR8；R8为H、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基、无取代的或取代的芳基，R11为C₁－C₂₀－烷基或－烷氧基。

主权项

1.半导体设备，或含有半导体元件的设备，包含式I的氮杂二萘嵌苯有机半导体其中每个R1、R2、R3和R4独立选自H、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基、无取代的或取代的芳基、卤素、取代的甲硅烷基、XR6；或一种或多种的R1和R2、R2和R3、R3和R4，与它们键合的碳原子一起形成饱和的或不饱和的、无取代的或取代的碳环或杂环；R5为OR7、SR7、NR7R8、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基或无取代的或取代的芳基；R6为取代的甲硅烷基、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基、无取代的或取代的芳基；R7为H、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基、无取代的或取代的芳基；X为O、S、NR8；R8为H、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基、无取代的或取代的芳基。