[发明专利]监测蚀刻等离子体加工设备中等离子体状态的方法和装置无效

专利信息
申请号: 200680016778.5 申请日: 2006-03-15
公开(公告)号: CN101427352A 公开(公告)日: 2009-05-06
发明(设计)人: 陈英欣;杰弗里·W·纽纳;小弗朗克·迪梅奥;陈世辉;詹姆斯·韦尔奇;杰弗里·F·罗德 申请(专利权)人: 高级技术材料公司
主分类号: H01L21/302 分类号: H01L21/302
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 章社杲;李丙林
地址: 美国康*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种气体传感器和气体感测的方法,例如使用下游传感器元件来测定使用含卤素的等离子体和/或者含氧的等离子体的半导体蚀刻设备中的等离子体状态(如等离子体蚀刻终点)。这样的传感器元件能指示在由等离子体产生的高能气体物质如氟、氯、碘、溴、氧及其衍生物或者自由基存在的温度变化,并且相应地产生一个指示这样的温度变化的输出信号用于测定蚀刻等离子体加工设备中等离子体的状态。
搜索关键词: 监测 蚀刻 等离子体 加工 设备 状态 方法 装置
【主权项】:
1. 用于测定蚀刻等离子体加工设备中等离子体状态的方法,包含以下步骤:提供至少一个能在高能气体物质存在下显示温度变化并且相应地产生一种指示所述温度变化的输出信号的传感器元件;将所述传感器元件在所述蚀刻等离子体加工设备的下游区域与由所述蚀刻等离子体加工设备产生的流出物气体流相接触;并且基于指示由于所述流出物气体流中存在高能气体物质引起的由所述感应元件产生的温度变化的所述输出信号,测定所述蚀刻等离子体加工设备中的等离子体状态。
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