[发明专利]监测蚀刻等离子体加工设备中等离子体状态的方法和装置无效
申请号: | 200680016778.5 | 申请日: | 2006-03-15 |
公开(公告)号: | CN101427352A | 公开(公告)日: | 2009-05-06 |
发明(设计)人: | 陈英欣;杰弗里·W·纽纳;小弗朗克·迪梅奥;陈世辉;詹姆斯·韦尔奇;杰弗里·F·罗德 | 申请(专利权)人: | 高级技术材料公司 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 章社杲;李丙林 |
地址: | 美国康*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种气体传感器和气体感测的方法,例如使用下游传感器元件来测定使用含卤素的等离子体和/或者含氧的等离子体的半导体蚀刻设备中的等离子体状态(如等离子体蚀刻终点)。这样的传感器元件能指示在由等离子体产生的高能气体物质如氟、氯、碘、溴、氧及其衍生物或者自由基存在的温度变化,并且相应地产生一个指示这样的温度变化的输出信号用于测定蚀刻等离子体加工设备中等离子体的状态。 | ||
搜索关键词: | 监测 蚀刻 等离子体 加工 设备 状态 方法 装置 | ||
【主权项】:
1. 用于测定蚀刻等离子体加工设备中等离子体状态的方法,包含以下步骤:提供至少一个能在高能气体物质存在下显示温度变化并且相应地产生一种指示所述温度变化的输出信号的传感器元件;将所述传感器元件在所述蚀刻等离子体加工设备的下游区域与由所述蚀刻等离子体加工设备产生的流出物气体流相接触;并且基于指示由于所述流出物气体流中存在高能气体物质引起的由所述感应元件产生的温度变化的所述输出信号,测定所述蚀刻等离子体加工设备中的等离子体状态。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高级技术材料公司,未经高级技术材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200680016778.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有磁阻效应的装置及其应用
- 下一篇:超导线材的宽度加工方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造