[发明专利]使用可去除膜制备浮雕图像有效
申请号: | 200680016806.3 | 申请日: | 2006-05-02 |
公开(公告)号: | CN101176039A | 公开(公告)日: | 2008-05-07 |
发明(设计)人: | G·L·茨沃德洛 | 申请(专利权)人: | 伊斯曼柯达公司 |
主分类号: | G03F1/10 | 分类号: | G03F1/10;G03F7/20 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 段晓玲;韦欣华 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及使用可去除膜制备具有浮雕图像的制品的方法。首先,将至少包含掩模基体和可成像材料的可成像膜成像式曝光于成像性辐射中形成成像膜。然后将该成像膜转移到可成像制品上,例如平板印版前体。将所形成的组件曝光于固化性辐射中,在可成像制品上形成光敏材料的曝光和未曝光区域。在曝光于固化性辐射之后,然后将该成像膜从可成像制品上去除。然后用适当的显影剂使该可成像制品显影,形成浮雕图像。然后该成像膜可以重复使用以制备其它具有浮雕图像的制品。 | ||
搜索关键词: | 使用 去除 制备 浮雕 图像 | ||
【主权项】:
1.一种制备浮雕图像的方法,该方法包括以下步骤:(a)将包含掩模基体和可成像材料的可成像膜成像式曝光于成像性辐射中,形成包含在掩模基体上的掩模图像的成像膜;(b)将该成像膜层压到包含设置在光敏材料上的释放层的可成像制品上;(c)将没有真空下吸的该可成像制品通过该成像膜曝光于固化性辐射中;(d)从该可成像制品上除去该成像膜,使该成像膜可重复使用;以及(e)使该可成像制品进行显影,形成该浮雕图像。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于伊斯曼柯达公司,未经伊斯曼柯达公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200680016806.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备