[发明专利]能够提高存储器使用寿命的电路和方法无效
| 申请号： | 200680016865.0 | 申请日： | 2006-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN101176075A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 程滋颐 | 申请（专利权）人： | 程滋颐 |
| 主分类号： | G06F12/00 | 分类号： | G06F12/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 江镇华 |
| 地址： | 300190中国天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种使用长寿命的非挥发性存储芯片提高原有的多种内部或外部非挥发性存储器使用寿命的电路和方法。本发明在不改变现有各种非易失性存储器的硬件结构、接口类型、封装形式和使用方式的情况下，只是在原有硬件结构的基础上通过增加长寿命的非挥发性存储芯片、在存储器主引导记录中原有的存储器存储地址基础上增加长寿命存储器存储器地址，修改原有设备驱动程序或者修改操作系统，就可以大幅度提高使用寿命的电路和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 能够 提高 存储器 使用寿命 电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种能够提高存储器使用寿命的电路，包括：主存储介质；主存储介质控制器，控制主存储介质的数据存取，与主存储介质一起构成主存储器；其特征在于，还包括：长寿命存储介质，存储需要频繁读写的基本信息和/或其他数据；长寿命存储介质控制器，控制长寿命存储介质的数据存取，与长寿命存储介质一起构成长寿命储存器。
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