[发明专利]在半导体衬底上形成曲线轮廓的工艺无效
申请号: | 200680016985.0 | 申请日: | 2006-05-16 |
公开(公告)号: | CN101176186A | 公开(公告)日: | 2008-05-07 |
发明(设计)人: | 本多由明;西川尚之 | 申请(专利权)人: | 松下电工株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;G02B3/02;G02B3/00 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王玉双 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 通过阳极化使半导体衬底成形为具有曲面轮廓。在被阳极化之前,衬底在其下表面具有阳极图案,从而使阳极和衬底成为整体的结构,其中该阳极图案被准确地再现在衬底上。阳极化利用了电解液,一旦形成作为阳极化产物的氧化部分,该电解液即蚀刻掉该氧化部分,以此来产生具有与阳极图案相匹配的多孔层。该阳极图案产生在平面内变化的电场强度分布,通过该变化的电场强度分布,所产生的多孔层的形状与想要的表面轮廓互补。当完成了阳极化之后,通过从衬底中蚀刻掉多孔层和阳极图案而在衬底的表面上露出曲面。 | ||
搜索关键词: | 半导体 衬底 形成 曲线 轮廓 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种在半导体衬底上形成曲线轮廓的工艺,所述工艺包括以下步骤:制备所述半导体衬底,该半导体衬底具有彼此相对的上表面和下表面;在所述下表面上形成阳极;将所述半导体衬底放置在电解液中;使电流在所述阳极和所述电解液中的阴极之间流动,以转换所述半导体衬底的上表面使各部分之间深度不同,在所述上表面内留下多孔层;以及从所述半导体衬底中去除所述多孔层,以在所述上表面上留下曲面;其特征在于所述阳极被配置为具有电场强度的预定分布,该电场强度穿过所述半导体衬底的上表面和下表面并且在所述半导体衬底的各部分之间不同,从而提供具有与所述电场强度的分布相匹配的变化深度的多孔层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电工株式会社,未经松下电工株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200680016985.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造