[发明专利]在半导体衬底上形成曲线轮廓的工艺无效

专利信息
申请号: 200680016985.0 申请日: 2006-05-16
公开(公告)号: CN101176186A 公开(公告)日: 2008-05-07
发明(设计)人: 本多由明;西川尚之 申请(专利权)人: 松下电工株式会社
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;G02B3/02;G02B3/00
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 王玉双
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 通过阳极化使半导体衬底成形为具有曲面轮廓。在被阳极化之前,衬底在其下表面具有阳极图案,从而使阳极和衬底成为整体的结构,其中该阳极图案被准确地再现在衬底上。阳极化利用了电解液,一旦形成作为阳极化产物的氧化部分,该电解液即蚀刻掉该氧化部分,以此来产生具有与阳极图案相匹配的多孔层。该阳极图案产生在平面内变化的电场强度分布,通过该变化的电场强度分布,所产生的多孔层的形状与想要的表面轮廓互补。当完成了阳极化之后,通过从衬底中蚀刻掉多孔层和阳极图案而在衬底的表面上露出曲面。
搜索关键词: 半导体 衬底 形成 曲线 轮廓 工艺
【主权项】:
1.一种在半导体衬底上形成曲线轮廓的工艺,所述工艺包括以下步骤:制备所述半导体衬底,该半导体衬底具有彼此相对的上表面和下表面;在所述下表面上形成阳极;将所述半导体衬底放置在电解液中;使电流在所述阳极和所述电解液中的阴极之间流动,以转换所述半导体衬底的上表面使各部分之间深度不同,在所述上表面内留下多孔层;以及从所述半导体衬底中去除所述多孔层,以在所述上表面上留下曲面;其特征在于所述阳极被配置为具有电场强度的预定分布,该电场强度穿过所述半导体衬底的上表面和下表面并且在所述半导体衬底的各部分之间不同,从而提供具有与所述电场强度的分布相匹配的变化深度的多孔层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电工株式会社,未经松下电工株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200680016985.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top