[发明专利]非对称双向瞬态电压抑制器及其形成方法无效
| 申请号： | 200680017002.5 | 申请日： | 2006-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN101180709A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 龚璞如;黄俊仁;高隆庆;彭洪娇 | 申请（专利权）人： | 威世通用半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/22;H01G9/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 梁晓广;陆锦华 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种双向瞬态电压抑制装置和制造该装置的方法。该方法开始于提供第一导电类型的半导体衬底，并在衬底上淀积与第一导电类型相反的第二导电类型的第一外延层。衬底和第一外延层形成第一p－n结。在第一外延层上淀积具有第二导电类型的第二外延层。第二外延层比第一外延层具有更高的掺杂剂浓度。在第二外延层上形成具有第一导电类型的第三层。第二外延层和第三层形成第二p－n结。 | ||
| 搜索关键词： | 对称 双向 瞬态 电压 抑制器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造双向瞬态电压抑制装置的方法，包括：提供第一导电类型的半导体衬底；在所述衬底上淀积与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第一外延层，所述衬底与所述第一外延层形成第一p-n结。在第一外延层上淀积具有所述第二导电类型的第二外延层，所述第二外延层具有比所述第一外延层更高的掺杂剂浓度；和在所述第二外延层上形成具有所述第一导电类型的第三层，所述第二外延层与所述第三层形成第二p-n结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
