[发明专利]曝光装置及曝光方法无效
| 申请号： | 200680017288.7 | 申请日： | 2006-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN101180706A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 坂本英昭 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种曝光装置，该曝光装置能在减少对投影光学系统的振动影响的状态下，以较为简单且轻量的机构来支撑用以测量投影光学系统与既定构件的位置关系的传感器。此曝光装置，以投影光学系统(PL)将标线片(R)的图案像投影至晶片(W)上，其中，从基座框(18)通过悬吊构件(35A～35C)悬吊支撑投影光学系统(PL)，且将固定有传感器用支柱(34A，34B)的测量框架(15)，从基座框(18)通过悬吊构件(35A～35C)加以悬吊支撑。该传感器用支柱(34A，34B)供安装激光干涉仪(12A，12B)。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种曝光装置，其以投影光学系统投影图案像，其特征在于，所述曝光装置具备：测量单元，其具备用以测量所述投影光学系统、与和所述投影光学系统相关连定位的构件间的位置关系的传感器；以及第1支撑装置，其具有第1柔性构造，用以将所述测量单元与所述投影光学系统分离悬吊支撑。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
