[发明专利]用于半导体器件的边缘末端有效
| 申请号： | 200680018019.2 | 申请日： | 2006-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN101180739A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 罗布·范达伦;马尔腾·J·斯韦恩伯格 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 半导体器件具有有源区(30)和包括多个浮置场区域(46)的边缘末端区域(32)。场板(54)在边缘末端区域(32)中从接触孔(56)在浮置场区域(46)上向内向有源区(30)延伸。可以设置柱子(40)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 边缘 末端 | ||
【主权项】：
1.一种具有边缘末端结构的半导体器件，包括：半导体本体(22，28)，具有相对的第一(34)和第二(36)主表面；半导体本体的有源区域(30)，限定了至少一种半导体部件；有源区域(30)外部的边缘末端区域(32)，其中所述边缘末端区域(32)包括：多个横向间隔的浮置场区域(46)；第一主表面(34)上的绝缘层(52)；以及至少一个场板(54)，在连接点(56)处穿过绝缘层(52)与边缘末端区域(32)中的第一主表面(34)相连，并且从所述连接点(56)在多个浮置场区域(46)上向内向有源区域(30)延伸。
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