[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200680018146.2 | 申请日： | 2006-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN101180734A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 杉本雅裕;加地彻;上杉勉;上田博之;副岛成雅 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明旨在抑制III－V族化合物半导体的半导体区中包含的p型杂质(一般为镁)扩散到邻接的其它半导体区中。本发明的半导体器件(10)包括：由氮化镓(GaN)制成的第一半导体区(28)，具有包含镁的p型杂质；由氮化镓制成的第二半导体区(34)；以及由氧化硅(SiO2)制成的杂质扩散抑制层(32)，其位于第一半导体区(28)和第二半导体区(34)之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：包含p型杂质的III-V族化合物半导体的第一半导体区；III-V族化合物半导体的第二半导体区；以及夹在第一半导体区和第二半导体区之间的杂质扩散抑制层。
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