[发明专利]晶体管及其驱动方法无效
| 申请号： | 200680018786.3 | 申请日： | 2006-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN101185158A | 公开（公告）日： | 2008-05-21 |
| 发明（设计）人： | 上田大助;田中毅;上本康裕;上田哲三;柳原学;引田正洋;上野弘明 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在蓝宝石衬底(101)上，按顺序形成了氮化铝缓冲层(102)，不掺杂氮化钙层(103)，不掺杂氮化钙铝层(104)，p型控制层(105)，p型接线柱层(106)。还有，晶体管包括：与p型接线柱层(106)欧姆连接的栅电极(110)，设置在不掺杂氮化钙铝(AlGaN)层(104)的源电极(108)及漏电极(109)。通过向p型控制层(105)施加正电压，沟道内注入空穴，能够增加流过沟道的电流。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，包括：第一半导体层，包含沟道区域；第二半导体层，设置在上述沟道区域上或上方，与上述沟道区域相比带隙大；控制区域，具有设置在上述第二半导体层内部、上述第二半导体层上、或上述第二半导体层上方的p型导电性；栅电极，以接触上述控制区域的一部分的方式设置；源电极和漏电极，设置在上述控制区域的两侧；其特征在于：通过对上述栅电极及上述源电极施加正向偏压，在上述沟道区域中注入空穴，控制在上述源电极及上述漏电极之间流动的电流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
