[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法无效
| 申请号： | 200680019287.6 | 申请日： | 2006-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101189708A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 山下润;中西敏雄;西田辰夫 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/318;H01L21/316;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供使用等离子体对半导体基板等被处理基板进行处理的等离子体处理装置和等离子体处理方法。在等离子体氧化处理装置(100)中，在基座(2)的上方，配备有二重板(60)。上侧板(61)和下侧板(62)分别由石英等电介质构成，以规定的间隔(例如5mm)相互分离且平行地配置，并且具有多个贯通孔(61a)、(62a)。在将两块板重合的状态下，以使下侧板(62)的贯通孔(62a)和上侧板(61)的贯通孔(61a)不重合的方式错开配置。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：容纳被处理基板的处理腔室；在所述处理腔室内载置被处理基板的基板保持台；和使从所述处理腔室的上部向载置在所述基板保持台上的被处理基板供给的处理气体的等离子体的流动弯曲的等离子体弯曲单元。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680019287.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：乳腺癌相关基因ZNFN3A1
- 下一篇：一种氢气发生器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
