[发明专利]氢氟酸生成装置及氢氟酸生成方法无效
| 申请号： | 200680020302.9 | 申请日： | 2006-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101277899A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 仲喜治一 | 申请（专利权）人： | 日本顶点服务有限会社;堺钢板株式会社 |
| 主分类号： | C01B7/19 | 分类号： | C01B7/19;B01D3/00;C02F1/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蒋亭;苗堃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是：利用以活性氧化铝及二氧化硅作为主成分的无机陶瓷系吸附剂，从含有氟的排水、废液中将氟进行吸附处理，并使用吸附处理后的吸附剂来生成氢氟酸的情况下，提高氢氟酸的生成效率，并且抑制吸附剂劣化。因此，本发明提供一种氢氟酸生成装置，其利用以活性氧化铝及二氧化硅作为主成分的陶瓷系吸附剂，从含有氟离子的氟化合物或氟混合物中将氟离子进行吸附处理，并使用吸附处理后的吸附剂来生成氢氟酸；且其具备蒸馏机构及冷却机构，所述蒸馏机构使上述吸附剂与强碱或强酸反应，并且添加结晶性二氧化硅来生成六氟硅酸气体，所述冷却机构冷却由上述蒸馏机构所生成的六氟硅酸气体，并进行水解来生成氢氟酸。 | ||
| 搜索关键词： | 氢氟酸 生成 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氢氟酸生成装置，其利用以活性氧化铝及二氧化硅作为主成分的陶瓷系吸附剂，从含有氟离子的氟化合物或氟混合物中将氟离子进行吸附处理，并使用吸附处理后的吸附剂来生成氢氟酸；其中，具备蒸馏机构及冷却机构：所述蒸馏机构添加所述吸附剂及强碱或强酸进行反应，并且添加结晶性二氧化硅来生成六氟硅酸气体，所述冷却机构冷却由所述蒸馏机构所生成的六氟硅酸气体，并进行水解来生成氢氟酸。
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