[发明专利]使等离子体－生成的离子偏转以防止离子到达EUV光源的内部元件的系统和方法有效
| 申请号： | 200680020424.8 | 申请日： | 2006-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN101194341A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | C·L·瑞迪格;J·R·霍夫曼;E·L·瓦加斯 | 申请（专利权）人： | 西默股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J49/40 | 分类号： | H01J49/40 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于保护EUV光源(20)的内部元件(30)免受在等离子体形成位置(28)上所产生且最初被引向内部元件(30)的离子(206a，206b)的影响的系统，所述系统包括：至少一个箔片(180)，插入在内部元件(30)和等离子体形成位置(28)之间，所述箔片具有一个基本上沿着从等离子体形成位置(28)到内部元件(30)延伸的线对准的表面(208a，208b)；以及磁源(200a，200b)，用于产生磁场(B2)以便于将离子(206a，206b)偏转到箔片表面(208a，208b)上。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 生成 离子 偏转 防止 到达 euv 光源 内部 元件 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于保护EUV光源内部元件免受在等离子体形成位置上所产生且最初被引向内部元件的离子的影响的系统，所述系统包括：至少一个箔片，插入在内部元件和等离子体形成位置之间，所述箔片具有一个基本上沿着从等离子体形成位置到内部元件延伸的线对准的表面；以及磁源，用于产生磁场以便于将离子偏转到箔片表面上。
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