[发明专利]电荷平衡场效应晶体管有效
| 申请号： | 200680020630.9 | 申请日： | 2006-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN101536163A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 哈姆扎·耶尔马兹;丹尼尔·卡拉菲特;史蒂文·P·萨普;内森·克拉夫特;阿肖克·沙拉 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;尚志峰 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种如下形成的场效应晶体管。提供第一导电类型的半导体区，第二导电类型的外延层在半导体区之上延伸。形成延伸穿过外延层并在半导体区中停止的沟槽。执行第一导电类型的掺杂物的双通道倾斜注入，从而沿沟道侧壁形成第一导电类型的区域。执行第二导电类型的掺杂物的阈值电压调节注入，从而将第一导电类型的区域沿沟槽的上侧壁延伸的部分的导电类型转变为第二导电类型。形成在沟槽的每侧的侧面的第一导电类型的源区。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 平衡 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1. 一种形成FET的方法，包括：为第一导电类型的半导体区提供在所述半导体区上延伸的第二导电类型的外延层；形成延伸穿过所述外延层并在所述半导体区中停止的沟槽；执行所述第一导电类型的掺杂物的双通道倾斜注入，从而沿所述沟槽的侧壁形成第一导电类型的区域；执行所述第二导电类型的掺杂物的阈值电压调节注入，从而将第一导电类型的所述区域沿所述沟槽的上侧壁延伸的部分的导电类型转变为所述第二导电类型；以及在所述沟槽的每一侧的侧面形成所述第一导电类型的源区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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