[发明专利]包括二极管和电阻切换材料的非易失性存储器单元

摘要

在一种形成于衬底上方的新颖的非易失性存储器单元中，二极管与可逆电阻切换材料配对，所述材料优选为例如Ni_xO_y、Nb_xO_y、Ti_xO_y、Hf_xO_y、Al_xO_y、Mg_xO_y、Co_xO_y、Cr_xO_y、V_xO_y、Zn_xO_y、Zr_xO_y、B_xN_y和Al_xN_y等金属氧化物或氮化物。在优选实施例中，所述二极管形成为设置在导体之间的垂直支柱。可堆叠多个存储器层级以形成单片三维存储器阵列。在一些实施例中，所述二极管包括锗或锗合金，其可在相对较低温度下沉积和结晶，从而允许在所述导体中使用铝或铜。本发明的存储器单元可用作可重写存储器单元或一次性可编程存储器单元，且可存储两种或两种以上数据状态。

主权项

1.一种非易失性存储器单元，其包括：二极管；以及电阻切换元件，其包括电阻率切换金属氧化物或氮化物化合物层，所述金属氧化物或氮化物化合物仅包含一种金属，其中所述二极管和电阻切换元件是所述存储器单元的部分。