[发明专利]数据存储装置无效
申请号: | 200680021255.X | 申请日: | 2006-06-08 |
公开(公告)号: | CN101198969A | 公开(公告)日: | 2008-06-11 |
发明(设计)人: | G·I·莱斯塔德;P·布罗姆斯;C·卡尔森 | 申请(专利权)人: | 薄膜电子有限公司 |
主分类号: | G06K19/067 | 分类号: | G06K19/067;G06K7/06;G06K1/12;G06K7/08 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;刘春元 |
地址: | 挪威*** | 国省代码: | 挪威;NO |
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摘要: | 在非易失性电存储系统中,提供卡片形存储单元(10)和读/写单元(11)作为物理上分离的单元。存储单元(10)基于存储材料(4),通过跨越存储材料施加电场其可以被设置为至少两个不同的物理状态。读/写单元(10)包括以确定的几何图案提供的接触装置(9),在初始写操作中其能够在存储单元(10)中限定存储单元,存储单元被定位在相应于接触装置(9)的几何图案的几何图案中。在存储单元(10)和读/写单元(11)之间建立物理接触接近所寻址的存储单元上的电路,使得可以实现读取、写入或者擦除操作。存储单元(10)的存储材料(4)可以是铁电体或者驻极体材料,其能够被极化为两个可辨别的极化状态,或者其可以为具有电阻性阻抗特性的材料,使得该材料的存储单元可通过施加电场而被设置为特定稳定的电阻值。 | ||
搜索关键词: | 数据 存储 装置 | ||
【主权项】:
1.一种非易失性电数据存储装置,包括提供作为物理上分离的单元的卡片状存储单元和读/写单元,其中存储单元包括在跨越存储材料施加电场时,能够获得至少两个相异物理状态和/或被设置为其任一种状态或在其间进行切换的存储材料层,其中所述至少两个相异物理状态由阻抗值或极化值表征,其中电场施加在特定的位置并且具有特定的方向,以便在存储材料的体积中在用于存储由通过施加的电场分配给设置在存储单元中的相异物理状态的逻辑值给出的数据的特定位置处限定具有确定范围的存储单元,其中逻辑值可以通过跨越存储单元施加电势差来进行检测和读取,其中存储单元包括存储材料的全局层,并且其中读/写单元包括以图案的几何布置提供的一组接触装置,使得在对未用过的存储层进行初始写操作中将读/写单元施加到存储单元时,以准确相应于读/写单元中的接触装置的几何布置或图案在其中产生形成位点的存储单元。
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