[发明专利]太阳电池元件和太阳电池元件的制造方法无效
| 申请号： | 200680021880.4 | 申请日： | 2006-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN101199060A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 福井健次 | 申请（专利权）人： | 京瓷株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种减少了成为太阳电池元件的破裂的原因的半导体基板的翘曲且高特性的太阳电池元件及其制造方法。为了实现所述的目的，太阳电池元件(10)具有太阳电池元件形成用的半导体基板(1)；形成在所述半导体基板的非受光面上，以铝为主成分，具有获得集电效果的最小限度的厚度的集电电极(4)；以及覆盖所述集电电极的钝化膜(8)。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳电池 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种太阳电池元件的制造方法，包括：a)第一工序，在太阳电池元件的形成用半导体基板的非受光面上形成以铝为主成分的集电电极，其包括a-1)形成包含铝的集电电极材料层的工序、和a-2)通过煅烧所述集电电极材料层从而在所述半导体基板的内部形成BSF层同时得到集电电极的工序；以及b)第二工序，按照覆盖所述集电电极的至少一部分的方式形成钝化膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京瓷株式会社，未经京瓷株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680021880.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
