[发明专利]硅搁架塔有效
| 申请号： | 200680022039.7 | 申请日： | 2006-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN101542014A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 拉南·泽哈维;里斯·雷诺斯 | 申请（专利权）人： | 统合材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/00 | 分类号： | C23C16/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;陈 红 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于在垂直炉中整批热处理硅晶圆(46)的硅搁架塔(10)。该塔包含至少三支连接至基部的硅脚(16，18，20)并具有垂直排列的槽(22)。硅搁架(24)通过侧脚中的槽将其滑动至后脚中的槽以拆卸地装载。联锁装置可拆卸地将搁架定锁至后脚，同时，在两侧脚中的槽横向地约束该搁架。搁架包含切口(38)，以允许机械手叶片进出搁架装卸该晶圆。在搁架中的圆孔(32，34)释放应力并防止晶圆粘粘。优选地，搁架由随机取向的多晶硅(ROPSi)形成。搁架及塔也可以由诸如石英及碳化硅的其它材料形成。 | ||
| 搜索关键词： | 硅搁架塔 | ||
【主权项】：
1、一种可拆卸地支撑在支撑塔中的搁架，所述支撑塔可支撑多个该类搁架，并用以支撑热处理的衬底，所述搁架基本上由硅组成，该硅选自由多晶硅、半-单切克劳斯基法硅或铸硅所构成的群组。
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- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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