[发明专利]非易失性存储器读取操作中的补偿电流

摘要

存储在非易失性存储器单元的浮动栅极上的表观电荷可能因为基于存储在邻近浮动栅极中的电荷的电场的耦合的缘故而发生移动。表观电荷的所述移动可通过升高表观阈值电压且因此降低存储器单元的感测传导电流而导致错误的读数。针对选定存储器单元的读取过程考虑一个或一个以上邻近存储器单元的状态。如果邻近存储器单元处于一组预定编程状态中的一者或一者以上中，那么可提供补偿电流来增加所述选定存储器单元的表观传导电流。将初始化电压提供到所述已编程的邻近存储器单元的位线，以在所述已编程的邻近存储器单元的位线与所述选定存储器单元的位线之间诱发补偿电流。

主权项

1.一种从非易失性存储装置读取数据的方法，其包括：读取第一群组非易失性存储元件中的第一非易失性存储元件以确定所述第一非易失性存储元件是否被编程到第一编程状态；如果确定所述第一非易失性存储元件处于所述第一编程状态，那么将初始化电压提供到所述第一群组的位线，所述提供在第二群组非易失性存储元件的位线中产生第一电流；以及如果所述第一非易失性存储元件被编程到所述第一编程状态，那么当所述第一电流处于所述第二群组非易失性存储元件的所述位线中时读取所述第二群组中的第二非易失性存储元件。