[发明专利]图像传感器像素及其方法无效
| 申请号： | 200680022211.9 | 申请日： | 2006-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN101203958A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 朴哲秀 | 申请（专利权）人： | （株）赛丽康;朴哲秀 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余朦;方挺 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种制造图像传感器的像素的方法及采用该方法形成的图像传感器的像素，所述图像传感器包括能够提高光敏度并减少相邻像素间串扰的突出的光电二极管。半导体图像传感器的像素在半导体衬底的表面上包括形状突出的光电二极管。增加了光电二极管的表面积相对于图像传感器像素表面积的比例，以提高光敏度，并且由于填充因数的提高而不需要微透镜。此外，可去除相邻像素间的串扰。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 像素 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体图像传感器的像素，包括在半导体衬底的表面上具有突出形状的光电二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
