[发明专利]制备碳化硅单晶的方法有效
| 申请号： | 200680022260.2 | 申请日： | 2006-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN101203635A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 坂元秀光 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B17/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 郇春艳;郭国清 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种制备碳化硅单晶的方法，其包括使碳化硅单晶基板与通过熔融包含Si和C的原料制备的熔体接触，并使碳化硅单晶在所述基板上生长，所述方法包括进行包含如下步骤(a)和(b)的循环：a)使所述籽晶基板与所述熔体的所述表面接触、生长单晶、以及从所述熔体的所述表面分离所述籽晶基板从而打断所述单晶生长的步骤，和b)使所述籽晶基板与所述熔体的所述表面接触并生长单晶的步骤，至少进行一次，其中所述籽晶是6H－碳化硅单晶或15R－碳化硅单晶，得到的单晶是4H－碳化硅单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 碳化硅 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备碳化硅单晶的方法，其包括使碳化硅单晶基板与通过熔融包含Si和C的原料制备的熔体接触，并使碳化硅单晶在所述基板上生长，所述方法包括进行包含如下步骤(a)和(b)的循环：a)使所述籽晶基板与所述熔体的所述表面接触、生长单晶、以及从所述熔体的所述表面分离所述籽晶基板从而打断所述单晶生长的步骤，和b)使所述籽晶基板与所述熔体的所述表面接触并生长单晶的步骤，至少进行一次，其中所述籽晶是6H-碳化硅单晶或15R-碳化硅单晶，得到的单晶是4H-碳化硅单晶。
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