[发明专利]层结构中具有反向几何结构的异质接触太阳电池

摘要

公知的异质接触太阳电池的非晶发射极设置在晶体吸收体面向光的顶部上并且吸收入射光，其因此不能为吸收体中电荷载流子的产生做出贡献。透明导电氧化物层(TCO)作为对pn过渡具有负面影响的覆盖层可以省掉。本发明的异质接触太阳电池(HKS)的层结构具有反向几何结构，从而所述太阳电池(HKS)具有反向异质接触。非晶发射极(EM)设置在晶体吸收体(AB)背对光的底部(LU)上。吸收体(AB)仅由其面向光的顶部(LO)上的透明减反射涂层(ARS)覆盖，所述涂层，由于其材料的选择，同时作为电有效的钝化层(PS)，从而可以避免吸收损失。与材料、时间和能量需求有关的能量恢复时间，可以通过在250℃到350℃下由等离子体CVD工艺低温制备发射极(EM)和减反射涂层(ARS)而缩短。上接触结构(OKS)指状地穿透透明减反射涂层(ARS)，下接触结构(UKS)配置为薄的大表面金属层(MS)。

主权项

1.一种层结构的异质接触太阳电池，包括由p型掺杂或者n型掺杂的晶体半导体材料制成的吸收体、由相对于所述吸收体反向掺杂的非晶半导体材料制成的发射极、由非晶半导体材料制成的介于所述吸收体和所述发射极之间的本征间层、所述吸收体面向光的一侧上的覆盖层、形成反射少数电荷载流子的表面场的层，以及所述吸收体面向光的一侧上的具有最小化的遮蔽表面的欧姆接触结构和所述吸收体背对光的一侧上的欧姆接触结构，其特征在于：在所述层结构的反向几何结构中，所述发射极(EM)设置在所述吸收体(AB)背对光的底部(LU)上；由于选择起所述吸收体材料的作用的材料，所述吸收体(AB)面向光的一侧上的所述覆盖层(DS)配置为透明减反射层(ARS)，同时也配置为所述吸收体(AB)的钝化层(PS)，所述钝化层(PS)形成反射少数电荷载流子的表面场(FSF)；以及所述吸收体(AB)面向光的顶部(LO)上的所述欧姆接触结构(OKS)穿透所述透明减反射层(ARS)，而其他所述欧姆接触结构(UKS)配置在所述吸收体(AB)背对光的底部(LU)上的所述发射极(EM)的很大的表面区域上。