[发明专利]衬底处理方法和衬底处理设备有效
申请号: | 200680022348.4 | 申请日: | 2006-03-29 |
公开(公告)号: | CN101253604A | 公开(公告)日: | 2008-08-27 |
发明(设计)人: | 关口贤治;内田范臣;田中晓;大野广基 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B08B3/02;G02F1/13;G02F1/1333;H01L21/027 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 崔幼平;杨松龄 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提出一种衬底(W),它用处理液如去离子水进行处理。接着,从流体喷嘴(12)向衬底(W)的上表面供给比处理液更易挥发的第一流体以形成液体膜。接下来,当晶片(W)被旋转时,从流体喷嘴(12)向衬底(W)的上表面供给比处理液更易挥发的第二流体。在此供给操作期间,从衬底(W)的旋转中心(Po)朝外径向移动向衬底(W)供给第二流体的供给位置(Sf)。结果,在通过使用第一流体和第二流体干燥衬底(W)后可以防止在衬底(W)上产生颗粒。 | ||
搜索关键词: | 衬底 处理 方法 设备 | ||
【主权项】:
1. 一种衬底处理方法,它包括以下步骤:通过处理液处理衬底;通过在其上供给与所述处理液相比具有更高挥发性的第一流体而在所述衬底的上表面上形成液体膜;和当旋转所述衬底时,向所述衬底的所述上表面供给与所述处理液相比具有更高挥发性的第二流体;其中在供给所述第二流体的步骤,向所述衬底供给所述第二流体的位置相对于所述衬底的旋转中心朝外径向移动。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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