[发明专利]具有改进的浪涌能力的肖特基二极管无效
申请号: | 200680022408.2 | 申请日: | 2006-07-05 |
公开(公告)号: | CN101223638A | 公开(公告)日: | 2008-07-16 |
发明(设计)人: | 罗萨诺·卡尔塔;路易吉·梅林;迭戈·拉福 | 申请(专利权)人: | 国际整流器公司 |
主分类号: | H01L23/36 | 分类号: | H01L23/36 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李德山;朱胜 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种SiC肖特基二极管晶片或Si肖特基二极管晶片,被安装成其外延阳极表面连接到器件封装中的最佳散热器表面,从而大幅度地改进了器件的浪涌电流能力。 | ||
搜索关键词: | 具有 改进 浪涌 能力 肖特基 二极管 | ||
【主权项】:
1.一种肖特基二极管,包括具有主体区域和在主体区域顶部上的外延形成区域的半导体晶圆;在所述外延形成区域顶部上的阳极触点和在所述主体区域的底部表面上的阴极电极;用于所述晶圆的外壳;所述外壳包括具有表面的主散热器;所述阳极触点被热连接并固定到所述主散热器表面,用于从所述晶圆的所述阳极侧的最大散热,从而显著地改进所述二极管的浪涌能力。
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