[发明专利]多层片状电容器及其制造方法和制造设备有效
| 申请号： | 200680022470.1 | 申请日： | 2006-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN101203924A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 河再镐 | 申请（专利权）人： | 世向产业株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/228 | 分类号： | H01G4/228 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周建秋;王凤桐 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明通过设置包括具有多个缝隙的阴罩的单掩模组与沉积源之间的沉积角来进行真空沉积，从而在一次产生的真空状态下一次形成下端子层、介电层、内电极层和上端子层，或者通过使分别包括具有多个缝隙的阴罩并彼此面对的上掩模组和下掩模组相对移动来调节缝隙图案，从而在一次产生的真空状态下一次形成下端子层、介电层、内电极层和上端子层。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 片状 电容器 及其 制造 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种通过以多层片状形式沉积介电层和导电层来制造多层片状电容器的方法，其中所述导电层的宽度比介电层的宽度窄，所述方法包括：定位介电层沉积源垂直于具有多个缝隙的单阴罩，并定位导电层沉积源倾斜于所述单阴罩；以及通过蒸发来自各个沉积源的蒸发粒子，使该蒸发粒子穿过缝隙并沉积在衬底上，从而形成介电层和导电层。
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