[发明专利]形成高介电常数薄膜的方法以及形成半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200680022580.8 | 申请日： | 2006-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN101203945A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | C·迪萨拉;柳田和孝;上山哲 | 申请（专利权）人： | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司;NEC电子公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/314;C23C16/40;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 林柏楠;刘金辉 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 一种使用含金属化合物的气体和由下面通式(I)表示的含硅化合物的气体通过原子层沉积在基材上形成高介电常数薄膜金属硅酸盐的方法，其中在前述通式中的R1、R2和R3各自独立地选自氢原子、C1－3烷基和N(R6)2(其中多个R6基团中的每一个独立选自氢原子、C1－3烷基和Si(R7)3(其中多个R7基团中的每一个独立选自氢原子和C1－3烷基))；R4和R5各自独立地选自氢原子、C1－3烷基和Si(R8)3(其中多个R8基团中的每一个独立选自氢原子、C1－3烷基和NHSi(R9)3(其中多个R9基团中的每一个独立选自氢原子和C1－3烷基))；和(前述通式中的碳原子数)/(前述通式中的硅原子数)的值不大于7。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 介电常数 薄膜 方法 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种形成高介电常数薄膜的方法，其中包含金属硅酸盐的高介电常数薄膜使用含金属化合物的气体和由下面通式表示的含硅化合物的气体通过原子层沉积在基质上形成：![]()
其中在前述通式中的R1、R2和R3各自独立地选自氢原子、C1-3烷基和N(R6)2(其中多个R6基团中的每一个独立选自氢原子、C1-3烷基和Si(R7)3(其中多个R7基团中的每一个独立选自氢原子和C1-3烷基))；R4和R5各自独立地选自氢原子、C1-3烷基和Si(R8)3(其中多个R8基团中的每一个独立选自氢原子、C1-3烷基和NHSi(R9)3(其中多个R9基团中的每一个独立选自氢原子和C1-3烷基))；和(前述通式中的碳原子数)/(前述通式中的硅原子数)的值不大于7。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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