[发明专利]低温下制造的包括半导体二极管的高密度非易失性存储器阵列

摘要

本发明阐述一种适合用于高密度整体式三维存储器阵列的存储器单元。在所述存储器单元的优选实施例中，在各导体之间形成由锗或锗合金形成且可在相对较低温度下结晶的半导体结型二极管。使用低温材料允许所述导体由铜或铝形成，这两种低电阻率材料都在非常小的形体尺寸下提供充足的电流，从而实现高密度的堆叠阵列。

主权项

1、一种形成整体式三维存储器阵列的方法，所述方法包括：在衬底上方形成第一存储器阶层，所述第一存储器阶层包括多个第一存储器单元，每一第一存储器单元均包含半导体材料；及在所述第一存储器阶层上方整体地形成第二存储器阶层，其中在形成所述整体式三维存储器阵列期间，所述阵列形成期间的处理温度不超过约500摄氏度。