[发明专利]微机械加工的麦克风和多传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 200680022953.1 | 申请日： | 2006-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN101208990A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 约翰·R·马丁;蒂莫西·J·布劳斯尼汉;克雷格·考尔;托马斯·努南;贾森·魏戈尔德;张欣 | 申请（专利权）人： | 模拟设备公司 |
| 主分类号： | H04R19/00 | 分类号： | H04R19/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;陆锦华 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种从硅或绝缘体上硅结构(SOI)晶片形成的微机械加工的麦克风。从晶片的顶硅层形成用于麦克风的固定的传感电极。通过淀积至少一个氧化物层、形成结构、然后通过贯穿顶硅层形成的沟槽从顶硅层的背面去除在该结构下面的氧化物的一部分，来在顶硅层的正面上形成多个多晶硅麦克风结构。这些沟槽允许声波从顶硅层的背面到达隔膜。在SOI晶片中，贯穿底硅层和中间氧化物层形成空腔，以暴露用于去除氧化物并允许声波到达隔膜的沟槽。可以在相同的晶片上形成惯性传感器，并且使用基本上与对应的麦克风结构相同的工序基本同时地形成多个惯性传感器结构。 | ||
| 搜索关键词： | 微机 加工 麦克风 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于从具有至少第一硅层的晶片生产微机械加工的麦克风的方法，该方法包括：在所述第一硅层的正面上形成至少一个氧化物层；在至少一个氧化物层上形成包括隔膜的多个多晶硅麦克风结构；以及通过贯穿所述第一硅层形成的多个沟槽，从所述第一硅层的背面，去除在所述多个多晶硅麦克风结构下面的至少一个氧化物层的一部分。
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