[发明专利]用于等离子氮化栅极介电层的氮化后二阶段退火的方法有效
| 申请号： | 200680022981.3 | 申请日： | 2006-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN101208782A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | C·S·奥利森 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/469 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明为一种形成氮氧化硅栅极介电层的方法，该方法包括：利用一等离子氮化制程而将氮并入一介电薄膜中以形成一氮氧化硅薄膜；氮氧化硅薄膜于一第一环境下进行退火，且第一环境包括一于一第一温度下而氧气具有一第一分压的惰性环境；氮氧化硅薄膜于一第二环境下进行退火，且第二环境包括于一第二温度下而氧气具有一第二分压，并且氧气的第二分压大于氧气的第一分压。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 等离子 氮化 栅极 介电层 阶段 退火 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成氮氧化硅栅极介电层的方法，包括：利用等离子氮化制程而将氮并入介电薄膜以形成氮氧化硅薄膜；该氮氧化硅薄膜于第一环境下进行退火，该第一环境包括于第一温度下而氧气具有第一分压的惰性环境；以及该氮氧化硅薄膜于第二环境下进行退火，该第二环境包括于第二温度下而氧气具有第二分压，其中氧气的该第二分压大于氧气的该第一分压。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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