[发明专利]制造半导体器件的方法以及用该方法获得的半导体器件无效
| 申请号： | 200680023185.1 | 申请日： | 2006-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN101208804A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 简·雄斯基;菲利浦·默尼耶－贝拉德;罗布·范达伦;马尼克斯·B·威廉森 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 制作半导体器件的方法以及用该方法获得的半导体器件。本发明涉及一种制造具有衬底(11)和硅半导体本体(12)的半导体器件(10)的方法，硅半导体本体(12)中设置有至少一个半导体元件，其中在半导体本体(12)中形成包括硅和另一IV族元素的混合晶体的材料的半导体区域(1)，由硅层(2)掩埋半导体区域(1，111)。根据本发明，在半导体本体(12)的表面设置包括开口(4)的掩模(3)，在开口(4，44)中选择性地沉积包括硅和另一IV族元素的混合晶体的材料的半导体区域(1，111)，至少部分去除掩模(3，33)，接着将硅层(2)均匀地沉积在半导体本体(12)的表面上。由此能获得各种高质量的器件。半导体区域(1，111)优选地包括SiGe，并且可以形成器件(10)的一部分或者为了在器件(10)中形成绝缘区或导电区而牺牲。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 以及 获得 | ||
【主权项】：
1.一种制造具有衬底(11)和硅半导体本体(12)的半导体器件(10)的方法，该硅半导体本体(12)中设置有至少一个半导体元件，其中在半导体本体(12)中形成包括硅和另一IV族元素的混合晶体的材料的半导体区域(1)，该半导体区域(1)被硅层(2)掩埋，该方法的特征在于以下步骤：在半导体本体(12)的表面上提供包括开口(4)的掩模(3)，通过在开口(4)中选择性沉积，形成包括硅和另一IV族元素的混合晶体的材料的半导体区域(1)，至少部分去除掩模(3)，以及在半导体本体(12)表面上沉积硅层(2)。
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