[发明专利]用于保持工艺腔内的近大气压力的设备和方法无效

专利信息
申请号: 200680023257.2 申请日: 2006-06-23
公开(公告)号: CN101208463A 公开(公告)日: 2008-06-25
发明(设计)人: 安东尼厄斯·M·C·P·L·范德克尔克霍夫 申请(专利权)人: NXP股份有限公司
主分类号: C30B31/16 分类号: C30B31/16;C30B33/00;H01L21/00
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 代理人: 陈源;张天舒
地址: 荷兰爱*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 提供了一种用于半导体晶片热处理的工艺腔(1)。工艺腔(1)包括用于把工艺气体注入工艺腔(1)的气体注入管路(4)和气体排放管路(14)。泵(8)与气体排放管路(14)相连并且保持工艺腔(1)内的压力处于一个大于工艺腔(1)外的周围大气压力的水平。
搜索关键词: 用于 保持 工艺 大气压力 设备 方法
【主权项】:
1.一种设备,包括工艺腔(1)和被用来从所述工艺腔(1)排出气体的泵(8),工艺腔(1)配备了用于把气体注入所述工艺腔(1)的气体注入管路(4),其特征在于,所述泵(8)被用来把所述工艺腔(1)内的压力保持为大于所述工艺腔(1)外的周围大气压力。
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