[发明专利]用于保持工艺腔内的近大气压力的设备和方法无效
申请号: | 200680023257.2 | 申请日: | 2006-06-23 |
公开(公告)号: | CN101208463A | 公开(公告)日: | 2008-06-25 |
发明(设计)人: | 安东尼厄斯·M·C·P·L·范德克尔克霍夫 | 申请(专利权)人: | NXP股份有限公司 |
主分类号: | C30B31/16 | 分类号: | C30B31/16;C30B33/00;H01L21/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈源;张天舒 |
地址: | 荷兰爱*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 提供了一种用于半导体晶片热处理的工艺腔(1)。工艺腔(1)包括用于把工艺气体注入工艺腔(1)的气体注入管路(4)和气体排放管路(14)。泵(8)与气体排放管路(14)相连并且保持工艺腔(1)内的压力处于一个大于工艺腔(1)外的周围大气压力的水平。 | ||
搜索关键词: | 用于 保持 工艺 大气压力 设备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种设备,包括工艺腔(1)和被用来从所述工艺腔(1)排出气体的泵(8),工艺腔(1)配备了用于把气体注入所述工艺腔(1)的气体注入管路(4),其特征在于,所述泵(8)被用来把所述工艺腔(1)内的压力保持为大于所述工艺腔(1)外的周围大气压力。
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