[发明专利]使用蚀刻掩模堆叠的多掩模处理

摘要

提供一种用于在基片上的蚀刻层中形成蚀刻特征的方法。在该蚀刻层上形成蚀刻掩模堆叠。在该蚀刻掩模堆叠上形成第一掩模。在该第一掩模上形成侧壁层，其减小由该第一掩模限定的间距的宽度。穿过该侧壁层将第一特征组蚀刻入该蚀刻掩模堆叠。去除该掩模和该侧壁层。执行额外的特征步骤，包括在该蚀刻掩模堆叠上形成额外掩模，在该额外掩模上形成侧壁层，将第二特征组至少部分蚀刻入该蚀刻掩模堆叠。穿过该蚀刻掩模堆叠中的第一特征组和第二特征组将多个特征蚀刻入该蚀刻层。

主权项

1.一种用于在基片上的蚀刻层中形成蚀刻特征的方法，包括：在所述蚀刻层上形成由至少一层形成的蚀刻掩模堆叠；在所述蚀刻掩模堆叠上形成第一掩模，其中，所述第一掩模限定多个具有宽度的间距；在所述第一掩模上形成侧壁层，其中，所述侧壁层减小由所述第一掩模限定的所述间距的宽度；穿过所述侧壁层将第一特征组至少部分地蚀刻入所述蚀刻掩模堆叠，其中，所述第一特征组中的所述特征具有小于由所述第一掩模限定的所述间距的宽度的宽度；去除所述掩模和侧壁层；执行额外的特征步骤，包括：在所述蚀刻掩模堆叠上形成额外掩模，其中，所述额外掩模限定多个具有宽度的间距；在所述额外掩模上形成侧壁层，其中，所述侧壁层减小由所述额外掩模限定的所述间距的宽度；穿过所述侧壁层将第二特征组至少部分地蚀刻入所述蚀刻掩模堆叠，其中，所述特征具有小于由所述额外掩模限定的所述间距的宽度的宽度；以及去除所述掩模和侧壁层；以及穿过所述蚀刻掩模堆叠中的所述第一特征组和所述第二特征组将多个特征蚀刻入所述蚀刻层。