[发明专利]高纯度锡或锡合金及高纯度锡的制造方法有效
| 申请号： | 200680023927.0 | 申请日： | 2006-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN101213326A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 新藤裕一朗;竹本幸一 | 申请（专利权）人： | 日矿金属株式会社 |
| 主分类号： | C25C1/14 | 分类号： | C25C1/14;C22B25/08;C22C13/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王海川;樊卫民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种高纯度锡或锡合金，其中，U和Th各自的含量为5ppb以下，Pb和Bi各自的含量为1ppm以下，并且纯度为5N以上(条件是，O、C、N、H、S、P的气体成分除外)。一种高纯度锡或锡合金，其中，具有铸造组织的高纯度锡的α射线计数为0.001cph/cm2以下。目前的半导体装置由于高密度化及高容量化，因此受到来自半导体芯片附近材料的α射线的影响，导致软错误发生的危险增多。特别是对靠近半导体装置使用的焊料或者锡的高纯度化的要求强烈，另外，需要α射线少的材料，因此，本发明的目的是提供能够应对这些问题的使锡的α射线量减少的高纯度锡或锡合金以及高纯度锡的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 纯度 合金 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高纯度锡或锡合金，其中，U和Th各自的含量为5ppb以下，Pb和Bi各自的含量为1ppm以下，并且纯度为5N以上(条件是，O、C、N、H、S、P的气体成分除外)。
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