[发明专利]发射机应答器装置无效
| 申请号： | 200680024034.8 | 申请日： | 2006-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN101213566A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | R·甘兹 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器德国股份有限公司 |
| 主分类号： | G06K19/07 | 分类号： | G06K19/07 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种发射机应答器装置，其包括具有半导体衬底的集成CMOS电路。第一整流二极管(DS)由CMOS电路的衬底二极管构成。第一MOS晶体管结构(DR1)和第二MOS晶体管结构(DR2)将它们的沟道串联起来，以使它们起到第二整流二极管(DR)的作用，第一整流二极管(DS)的阴极与第二整流二极管(DR)的阳极相连接。第一MOS晶体管结构(DR1)和第二MOS晶体管结构(DR2)相互隔离开来，以保证两个MOS晶体管结构之间的距离足够大，使得第一和第二MOS晶体管结构在衬底中所构成的寄生npn结构具有可忽略的电流增益。 | ||
| 搜索关键词： | 发射机 应答器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种发射机应答器装置，其包括：半导体衬底中的集成CMOS电路；第一整流二极管(DS)，其由CMOS电路的衬底二极管构成；第一MOS晶体管结构(DR1)和第二MOS晶体管结构(DR2)，它们的沟道被串联连接以使它们起第二整流二极管(DR)的作用，所述第一整流二极管(DS)的阴极与所述第二整流二极管(DR)的阳极相连接；其中所述第一MOS晶体管结构和所述第二MOS晶体管结构相互隔离开来，以保证两个MOS晶体管结构之间的距离足够大，从而使得所述第一和第二MOS晶体管结构(DR1，DR2)在所述衬底中所构成的寄生npn结构具有可忽略的电流增益。
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