[发明专利]硅的再利用方法及利用该方法制造的硅和硅锭无效

专利信息
申请号: 200680024565.7 申请日: 2006-07-03
公开(公告)号: CN101218176A 公开(公告)日: 2008-07-09
发明(设计)人: 福山稔章;奥野哲启;涌田顺三 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037;H01L31/04;C01B33/02
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陈桉;封新琴
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 为了有效地再利用切割硅坯料得到的硅废料作为太阳能电池用原料硅,本发明披露一种硅的再利用方法,根据一个方面,所述方法的特征在于包括以下步骤:加热熔融硅废料;将析出用基体材料浸在熔融硅中,从而在所述析出用基体材料的表面上获得硅析出物。在优选实施方案中,该方法还包括将析出用基体材料表面上析出的硅从析出用基体材料上取下。硅坯料优选为将太阳能电池用硅原料在铸模中熔融并使熔融材料凝固所得到的硅锭。
搜索关键词: 再利用 方法 利用 制造
【主权项】:
1.一种硅的再利用方法,所述方法使用切割硅坯料所得到的硅废料作为太阳能电池用硅原料,该方法包括以下步骤:加热熔融所述硅废料;通过使熔融硅单向凝固,形成硅锭;和除去所述硅锭的杂质集中部分。
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