[发明专利]电子器件有效
| 申请号： | 200680025067.4 | 申请日： | 2006-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN101283461A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 桑艾曼 | 申请（专利权）人： | 纳米电子印刷有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 英国曼*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 一种电子器件，包括用于支持迁移电荷载流子的衬底，形成在衬底表面上的绝缘特征，以限定所述绝缘特征两侧的第一和第二衬底区域，第一和第二衬底区域通过由所述绝缘特征限定的伸长沟道连接，所述沟道在所述衬底中提供从第一区域到第二区域的电荷载流子流动路径，第一和第二衬底区域之间的导电率取决于第一和第二衬底区域之间的电势差。在所述衬底内三个维度中的每一维度上，迁移电荷载流子均可以处于至少两种模式。衬底可以是有机材料。迁移电荷载流子可以具有0.01cm2/Vs到100cm2/Vs范围内的迁移率，并且电子器件可以是RF器件。还描述了用于形成此类器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 | ||
【主权项】：
1.一种电子器件，包括用于支持迁移电荷载流子的衬底，形成在衬底表面上的绝缘特征，以限定所述绝缘特征两侧的第一和第二衬底区域，第一和第二衬底区域通过由所述绝缘特征限定的伸长沟道连接，所述沟道在所述衬底中提供从第一区域到第二区域的电荷载流子流动路径，第一和第二衬底区域之间的导电率取决于第一和第二衬底区域之间的电势差，其中在所述衬底内三个维度中的每一维度上，所述迁移电荷载流子均处于至少两种模式。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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