[发明专利]磁记录介质及其制造方法以及磁记录和再现装置无效
| 申请号： | 200680025096.0 | 申请日： | 2006-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN101218632A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 福岛正人;村上雄二;清水谦治 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/667 | 分类号： | G11B5/667;G11B5/73;G11B5/738;G11B5/84 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁记录介质及其制造方法，以及包含这种磁记录介质的磁记录和再现装置。通过赋予理想的摇摆曲线的半值宽度(Δθ50)来对晶体取向进行很好的控制，能够提高生长在软磁性衬层的表面上的磁性层的膜层质量，以及能够获得可以抑制TA的产生并能实现高密度记录的SNR。所述磁记录介质包括在非磁性基底上形成的软磁性衬层、取向控制层、垂直磁记录层、以及保护层；其中，所述软磁性衬层的磁性各向异性比(Hmr/Hmc)为1或更小，所述Δθ50为1到6度。所述软磁性衬层形成在所述非磁性基底的主表面上，其中，所述主表面使用抛光带和含有胶态氧化硅研磨颗粒的浆体，通过片式纹理处理设备，一次一块基底地进行了抛光。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 及其 制造 方法 以及 再现 装置 | ||
【主权项】：
1.一种磁记录介质，包括：非磁性基底；至少由软磁性材料构成的软磁性衬层；取向控制层，用来控制直接在其上形成的膜层的取向；垂直磁记录层，其易磁化轴主要相对于所述非磁性基底垂直取向；以及保护层，这些层设置于所述非磁性基底上；其中，所述软磁性衬层的磁性各向异性比(Hmr/Hmc)为1或更小，其摇摆曲线的半值宽度(Δθ50)为1到6度。
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